RAM과 달리 비트 값이나 메모리의 데이터를 유지하는 ROM에는 전원이 필요하지 않습니다. 따라서 본질적으로 비 휘발성입니다. ROM 사용의 이점은 데이터와 프로그램이 주 메모리에 지속적으로 상주하며 보조 기억 장치에서로드 할 필요가 없다는 것입니다.
비교 차트
| 기본 | PROM | EPROM |
|---|---|---|
| 확장 대상 | 프로그래머블 읽기 전용 메모리 | 지울 수있는 프로그램 가능 읽기 전용 메모리 |
| 기본 | 이 칩은 한 번만 프로그래밍 할 수 있습니다. | 이 칩은 재 프로그래밍이 가능하다. |
| 비용 | 저렴한 | PROM에 비해 비용이 많이 든다. |
| 구성 | PROM은 플라스틱으로 덮여 있습니다. | 투명한 석영 창은 EPROM을 덮습니다. |
| 저장 지구력 | 높은 | 비교적 낮다. |
PROM의 정의
PROM (Programmable ROM) 은 특정 메모리 내용을 포함 할 수있는 ROM 세트의 필요성을 충족시키기위한 것입니다. PROM 메모리는 한 번만 기록되며 원래의 칩 제조 당시 또는 이후에 사용자에 의해 전기적으로 프로그래밍됩니다. 필요한 컨텐트 파일은 사용자가 제공하고 ROM 프로그래머로 알려진 컴퓨터에 삽입됩니다. 각각의 프로그래밍 가능한 연결에는 퓨즈가 존재하며 연결이 필요하지 않을 때 퓨즈가 끊어집니다.
PROM의 구조에서 고전력을 소모하지만 신속하게 작동하는 바이폴라 트랜지스터가 사용됩니다. PROM이 프로그래머에 다시 연결될 때까지 비트가 변경되지 않고 더 많은 퓨즈가 끊어 질 때 저장 안정성이 높습니다. PROM은 대량 생산시 유연성과 편리 성을 제공 할 때 유리합니다.
EPROM의 정의
EPROM 은 지울 수있는 프로그램 가능 읽기 전용 메모리로 확장되며, 이 유형의 ROM은 광학적으로 (전기적으로) 읽고 쓰여집니다. EPROM을 기록하려면 저장 셀이 동일한 초기 상태를 유지해야합니다. 따라서, 패키징 된 칩은 기록 동작을 수행하기 전에 저장 셀을 소거하기 위해 자외선 방사로 도시된다.
삭제 절차는 반복적으로 수행되며 1 회 삭제는 최대 20 분을 소비 할 수 있습니다. EPROM은 방사선 및 전기 노이즈를 수용하기 때문에 PROM에 비해 저장 영속성이 떨어진다. EPROM은 신뢰할 수 없게 된 후 약 1, 000 번 재 프로그램 할 수 있습니다. EPROM은 자외선을 능가하는 석영 창을 포함하고 있습니다.
EPROM에서, MOS 트랜지스터는 프로그램 가능한 부품으로 사용됩니다. 트랜지스터는 절연체로 둘러싸인 플로팅 게이트 (폴리 실리콘 물질의 작은 부분)로 구성됩니다. 채널은 소스와 드레인 사이에 음전하를 생성하고 로직 1을 저장한다. 게이트에서의 높은 양의 전압은 음전하를 구동하여 채널 밖으로 이동하고 부동 게이트에 트랩되어 로직 0을 저장한다. 부동 게이트 표면 UV 방사선에 노출되면 음전하를 플로팅 게이트에서 채널로 복원하여 로직 1을 복원합니다. 프로그래밍의 이러한 현상은 핫 일렉트론 (hot electron) 주입으로 알려져 있습니다.
PROM과 EPROM의 주요 차이점
- PROM 칩은 한 번만 프로그래밍됩니다. 한편, EPROM 칩은 재 프로그래밍이 가능합니다.
- 비용면에서 EPROM은 PROM보다 비용이 많이 든다.
- EPROM은 UV 광선이 통과 할 수 있도록 투명 석영 창으로 둘러 쌉니다. 반대로, PROM은 플라스틱 덮개에 완전히 들어 있습니다.
- PROM 저장 영구성은 복사 및 전기 노이즈의 영향을받지 않지만 EPROM에서는 복사 및 전기 노이즈가 저장 안정성에 영향을 줄 수 있습니다. 그러나 EPROM은 10 년간 데이터를 저장할 수 있습니다.
결론
PROM은 EPROM보다 저렴하지만 EPROM을 여러 번 프로그래밍 할 수 있지만 PROM은 한 번만 프로그래밍 할 수 있지만 데이터를 지우려면 칩을 시스템에서 제거해야합니다.
